欢迎您访问:澳门6合开彩开奖网站网站!1.3 确定绕制层数和匝数:绕制环形变压器时,需要根据设计要求确定绕制层数和匝数。绕制层数决定了变压器的额定电压,匝数决定了变压器的变比和输出功率。在确定层数和匝数时,需要考虑变压器的容量和体积等因素。

LLC拓扑中,为什么选用体二极管恢复快的MOSFET(FR、什么是llc拓扑:LLC拓扑中为什么选择体二极管恢复快的MOSFET
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LLC拓扑中,为什么选用体二极管恢复快的MOSFET(FR、什么是llc拓扑:LLC拓扑中为什么选择体二极管恢复快的MOSFET

时间:2023-11-19 07:31 点击:68 次
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一、什么是LLC拓扑

LLC拓扑是一种广泛应用于高功率DC-DC转换器中的拓扑结构。它由一个电感、两个电容和一个变压器组成。LLC拓扑具有高效率、高稳定性和低EMI等优点,因此被广泛应用于服务器电源、通信电源和工业电源等领域。

二、LLC拓扑中为什么选择体二极管恢复快的MOSFET

在LLC拓扑中,MOSFET是控制开关的关键元件。选择合适的MOSFET可以提高转换器的效率和稳定性。而在选择MOSFET时,体二极管的恢复速度是一个重要的考虑因素。

三、体二极管恢复快的MOSFET的优点

体二极管恢复快的MOSFET具有恢复速度快、反向漏电流低、开关损耗小等优点。在LLC拓扑中,由于MOSFET的体二极管会在开关过程中反向导通,因此选择体二极管恢复快的MOSFET可以降低反向漏电流和开关损耗,提高转换器的效率和稳定性。

四、体二极管恢复快的MOSFET的工作原理

体二极管恢复快的MOSFET的恢复速度快是因为它的体二极管具有较短的恢复时间。当MOSFET的漏极电压变为负值时,体二极管会导通,形成反向电流。在体二极管导通时,澳门6合开彩开奖网站电荷会从漏极电路中移除,从而缩短了恢复时间。

五、体二极管恢复快的MOSFET的选型

在选择体二极管恢复快的MOSFET时,需要考虑其恢复时间、漏电流和开关损耗等参数。恢复时间越短、漏电流越小、开关损耗越小的MOSFET越适合LLC拓扑。

六、体二极管恢复快的MOSFET的应用实例

以Infineon公司的CoolMOS CFD7系列为例,其体二极管恢复时间仅为18ns,漏电流极低,开关损耗小。这款MOSFET广泛应用于服务器电源、通信电源和工业电源等高功率应用领域。

七、在LLC拓扑中,选择体二极管恢复快的MOSFET可以提高转换器的效率和稳定性。在选型时需要考虑恢复时间、漏电流和开关损耗等参数。Infineon公司的CoolMOS CFD7系列是一款优秀的体二极管恢复快的MOSFET,广泛应用于高功率应用领域。

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